Fig. 5.¹⁹⁾
金基盤をFcC₁₁SHの1mMヘキサン溶液に96時間浸漬させて作製したSAM修飾金極の(a)1M HClO₄、(b) 1M HClO₄ + 1mM Fe(ClO₄)₃溶液中、および(c)未修飾金電極の1M HClO₄ + 1mM Fe(ClO₄)₃溶液中のCV。掃引速度: 100mV/s。